氮化鎵 (GaN) 功率集成電路 (IC) 的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者 Navitas Semiconductor 宣布，大功率 GaN 功率 IC 樣品現(xiàn)已可用于首批全球數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能和電動(dòng)汽車 (EV) 客戶的時(shí)間。
Navitas GaNFast™ IC 于三年前首次向移動(dòng)客戶推出，并已成為這些市場(chǎng)的主流顛覆性力量，為具有超輕量和小型化外形的移動(dòng)設(shè)備提供前所未有的高效和超快速充電。現(xiàn)在，這種突破性的 GaN 功率 IC 技術(shù)——唯一一個(gè)單片集成驅(qū)動(dòng)、控制、保護(hù)和電源的 GaN 半導(dǎo)體平臺(tái)——首次可用于在 2kW 至 20kW 功率范圍內(nèi)運(yùn)行的應(yīng)用，包括數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車電力電子。這一發(fā)展是從傳統(tǒng)硅升級(jí)到下一代 GaN 半導(dǎo)體到“電氣化我們的世界”以及從化石燃料過(guò)渡到清潔電力應(yīng)用的基礎(chǔ)，并影響高達(dá) 2.6 噸/年的二氧化碳2到 2050 年的排放量。
GaN 是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快 20 倍，功率增加 3 倍，節(jié)能 40%，充電速度提高 3 倍，而尺寸和重量減半。Navitas 的 GaNFast™ 電源 IC 集成了 GaN 電源和驅(qū)動(dòng)以及保護(hù)和控制，以提供簡(jiǎn)單、小巧、快速和高效的性能。新產(chǎn)品針對(duì)每個(gè)大功率市場(chǎng)進(jìn)行了優(yōu)化，具有特性、功能和功率升級(jí)，成為真正的 GaNFast 專用集成電路。
“Navitas Engineering 團(tuán)隊(duì)再次按時(shí)交付了高性能 GaN 功率 IC，推動(dòng)了我們的市場(chǎng)擴(kuò)張，”聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Gene Sheridan 說(shuō)。“這是我們?cè)谙蛲顿Y者的財(cái)務(wù)路線圖中概述的道路上的又一成功步驟，從我們?cè)?20W 到 300W 移動(dòng)快速充電器市場(chǎng)的排名第一的位置擴(kuò)展到高功率 2kW 到 20kW 以上的應(yīng)用。”
新產(chǎn)品是經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的 650/800V GaNFast 平臺(tái)的功率升級(jí)、熱增強(qiáng)版本，出貨量超過(guò) 3000 萬(wàn)臺(tái)，報(bào)告的現(xiàn)場(chǎng)故障為零。Navitas 獨(dú)特的專有 GaNFast 集成技術(shù)具有內(nèi)置、快速和準(zhǔn)確的過(guò)溫、過(guò)流和 ESD 保護(hù)。
大功率客戶對(duì) GaN 和 Navitas 的集成方法給予了響亮的認(rèn)可，包括：
數(shù)據(jù)中心的Compuware：“GaN 是一項(xiàng)突破性的新技術(shù)。Navitas [是] 優(yōu)秀的合作伙伴，擁有行業(yè)領(lǐng)先的 GaN IC。” Navitas 最近宣布在杭州建立一個(gè)專門(mén)的數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)中心，并估計(jì)與典型的傳統(tǒng)硅解決方案相比，將數(shù)據(jù)中心從硅升級(jí)到 GaN 將節(jié)省高達(dá) 40% 的能源，并為行業(yè)節(jié)省高達(dá) 1.9B 美元/年的電力成本。
太陽(yáng)能中的Enphase Energy：“這是硅之路的盡頭。GaN 提供 >10 倍的頻率和顯著的成本優(yōu)勢(shì)。” Navitas 估計(jì)，GaN 功率 IC 可使微型逆變器的成本降低 25%，節(jié)能高達(dá) 40%，與硅相比，安裝成本回報(bào)率提高了 10% 以上。
EV 中的Brusa：“Navitas 的優(yōu)勢(shì)在于駕駛簡(jiǎn)單、高速、可靠性和緊湊的外形尺寸。” Navitas 估計(jì)，GaNFast 產(chǎn)品可提供 3 倍的充電速度和 70% 的節(jié)能，從而使續(xù)航里程延長(zhǎng) 5% 或電池成本降低 5%。采用 GaN 可以將全球電動(dòng)汽車的采用速度最多加快 3 年，到 2050年將道路部門(mén)的 CO 2排放量減少 20%。
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