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GeneSiC 的下一代 750V G3R™ SiC MOSFET 將提供前所未有的性能水平, 超越同類產(chǎn)品的堅固性和質(zhì)量. 系統(tǒng)優(yōu)勢包括工作溫度下的低通態(tài)下降, 更快的切換速度, 功率密度增加, 最小振鈴 (低電磁干擾) 緊湊的系統(tǒng)尺寸. GeneSiC 的 G3R™, 提供優(yōu)化的低電感分立封裝 (貼片和通孔), 經(jīng)過優(yōu)化，可在所有工作條件和超快開關(guān)速度下以最低功耗運行. 與當(dāng)代 SiC MOSFET 相比，這些器件具有明顯更好的性能水平.

750V G3R 碳化硅MOSFET

“高效能源使用已成為下一代功率轉(zhuǎn)換器的關(guān)鍵交付物，而 SiC 功率器件繼續(xù)成為推動這場革命的關(guān)鍵組件. 經(jīng)過多年的開發(fā)工作，以實現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻和穩(wěn)健的短路和雪崩性能, 我們很高興發(fā)布業(yè)界性能最佳的 750V 碳化硅 MOSFET. 我們的 G3R™ 使電力電子設(shè)計師能夠滿足具有挑戰(zhàn)性的效率, 太陽能逆變器等應(yīng)用中的功率密度和質(zhì)量目標(biāo), EV 車載充電器和服務(wù)器/電信電源. 有保證的質(zhì)量, 由快速周轉(zhuǎn)和汽車合格的大批量制造支持，進(jìn)一步增強(qiáng)了他們的價值主張. ” 博士說. 蘭比爾·辛格, GeneSiC Semiconductor總裁.

特征 –

業(yè)界最低的柵極電荷 (問G) 和內(nèi)部柵極電阻 (RG(情報局))

最低 RDS(上) 隨溫度變化

低輸出電容 (C我們) 和米勒電容 (C廣東)

100% 雪崩 (UIL) 生產(chǎn)過程中經(jīng)過測試

行業(yè)領(lǐng)先的短路耐受能力

具有低 V 的快速可靠的體二極管F 和低 QRR

高且穩(wěn)定的柵極閾值電壓 (VTH) 跨越所有溫度和漏極偏壓條件

具有更低熱阻和更低振鈴的先進(jìn)封裝技術(shù)

R的制造均勻性DS(上), VTH 和擊穿電壓 (BV)

全面的產(chǎn)品組合和更安全的供應(yīng)鏈，符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的大批量制造

應(yīng)用領(lǐng)域 –

太陽的 (光伏) 逆變器

電動汽車 / HEV車載充電器

服務(wù)器 & 電信電源

不間斷電源 (UPS)

DC-DC轉(zhuǎn)換器

開關(guān)電源 (開關(guān)電源)

儲能和電池充電

感應(yīng)加熱

GeneSiC Semiconductor的所有SiC MOSFET均面向汽車應(yīng)用 (AEC-q101) 和PPAP功能.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&貿(mào)易碳化硅MOSFET

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&貿(mào)易碳化硅MOSFET

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&貿(mào)易碳化硅MOSFET

所有設(shè)備均可通過授權(quán)GeneSiC代理商購買