Everspin 推出了基于 MRAM 的 nvNITRO NVMe 存儲加速卡
本周，Everspin 推出 了基于 MRAM 的 nvNITRO NVMe 存儲加速卡系列 ，具有令人難以置信的性能規(guī)格：隨機 4Kbyte 混合 70/30 讀/寫操作的 IOPS 高達 146 萬次。在 IOPS 的世界中，這是非常快的。事實上，它比英特爾 P4800X Optane SSD 卡快大約 3 倍， 英特爾 P4800X Optane SSD 卡被指定為高達 500K IOPS，用于隨機 4Kbyte 混合 70/30 讀/寫操作。多種因素促成了 nvNITRO 存儲加速器的速度，包括 Everspin 的新型 1Gbit 自旋扭矩磁阻式 RAM (ST-MRAM)，具有高速、DDR4、SDRAM 兼容的 I/O；與 NVMe 1.1+ 兼容的高性能 MRAM 專用內(nèi)存控制器 IP 塊；和 Xilinx Kintex UltraScale KU060 FPGA 它實現(xiàn)了 MRAM 控制器和主板的 PCIe Gen3 x8 主機接口。Everspin 的 nvNITRO NVMe 卡將于 2017 年第四季度由EverSpin代理商發(fā)貨，容量為 1 GB 和 2 GB。
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更多IC電子元器件制造商行業(yè)動態(tài)（2025年3月12日更新）
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