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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：SIR808DP-T1-GE3

原始制造廠商：Vishay，威世

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：SIR808DP-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：TrenchFET?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：20A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：8.9 毫歐 @ 17A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22.8nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：815pF @ 12.5V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：29.8W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：PowerPAK? SO-8

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