深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供SIHB12N65E-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號(hào)：SIHB12N65E-GE3制造商：Vishay Siliconix描述：MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：有源FET類(lèi)型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：650V25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：12A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：380 毫歐 @ 6A，10V不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：70nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1224pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：156W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類(lèi)型：表面貼裝型器件封裝：D2PAK（TO-263）SIHB12N65E-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
