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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供TJ9A10M3,S4Q(M（品牌: Toshiba）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

TJ9A10M3,S4Q(M - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Toshiba代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：TJ9A10M3,S4Q(M

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：FET - 單

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào): TJ9A10M3,S4Q(M

制造廠家名稱: Toshiba Semiconductor and Storage

功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3

系列: -

FET 類型: MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 9A（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 170 毫歐 @ 4.5A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 47nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 2900pF @ 10V

功率 - 最大值: 19W

安裝類型: 通孔

封裝/外殼: TO-220-3 整包

供應(yīng)商器件封裝: TO-220SIS

TJ9A10M3,S4Q(M均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Toshiba

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