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深圳市南皇電子有限公司長期提供STGP12NB60KD（品牌: ST）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGP12NB60KD

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數：IGBT 600V 30A 125W TO220

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：STGP12NB60KD

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 30A 125W TO220

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：PowerMESH?

零件狀態：停產

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：30A

電流-集電極脈沖(Icm)：60A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，12A

功率-最大值：125W

開關能量：258μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：54nC

25°C時Td（開/關）值：25ns/96ns

測試條件：480V，12A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：80ns

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-220-3

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