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深圳市南皇電子有限公司長期提供STGD4M65DF2（品牌: ST）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

STGD4M65DF2 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，ST代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STGD4M65DF2

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGD4M65DF2

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：M

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：8A

電流-集電極脈沖(Icm)：16A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A

功率-最大值：68W

開關(guān)能量：40μJ（開），136μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：15.2nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：12ns/86ns

測試條件：400V，4A，47 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：133ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

STGD4M65DF2均從ST代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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