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深圳市南皇電子有限公司長期提供STGB30H65DFB2（品牌: ST）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：STGB30H65DFB2

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：STGB30H65DFB2

制造商：STMicroelectronics

描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 30

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：HB2

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場(chǎng)截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：50A

電流-集電極脈沖(Icm)：90A

不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，30A

功率-最大值：167W

開關(guān)能量：270μJ（開），310μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：90nC

25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：18.4ns/71ns

測(cè)試條件：400V，30A，6.8 歐姆，15V

反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：115ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-4，D2Pak（3 引線 + 接片），TO-263AA

STGB30H65DFB2均從ST代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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