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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供RS1E200BNTB（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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ROHM產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量

RS1E200BNTB - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ROHM代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：RS1E200BNTB

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：RS1E200BNTB

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：20A（Ta）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.9 毫歐 @ 20A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：59nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：3100pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta），25W（Tc）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

器件封裝：8-HSOP

RS1E200BNTB均從ROHM代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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