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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NVMFD6H846NLT1G

技術標準參數：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術參數詳解：

制造商產品型號：NVMFD6H846NLT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產品系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）

零件狀態：Automotive, AEC-Q101

FET類型：有源

FET功能：2 N-通道（雙）

漏源電壓（Vdss）：標準

25°C時電流-連續漏極(Id)：80V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：9，4A（Ta），31A（Tc）

不同Id時Vgs(th)（最大值）：15 毫歐 @ 5A，10V

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2V @ 21μA

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：17nC @ 10V

功率-最大值：900pF @ 40V

工作溫度：3，2W（Ta），34W（Tc）

安裝類型：-55°C ~ 175°C（TJ）

封裝：表面貼裝型

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