深圳市南皇電子有限公司長期提供NTD6600N-1G（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：NTD6600N-1G制造商：ON Semiconductor描述：MOSFET N-CH 100V 12A IPAK系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：停產(chǎn)FET類型：N 通道技術：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：100V25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：12A（Ta）驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：5V不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：146 毫歐 @ 6A，5V不同Id時Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC @ 5VVgs（最大值）：±20V不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：700pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：1.28W（Ta），56.6W（Tc）工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型：通孔器件封裝：I-PAKNTD6600N-1G均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
