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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供NSVMUN5212DW1T1G（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

NSVMUN5212DW1T1G - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ON代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：NSVMUN5212DW1T1G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：NSVMUN5212DW1T1G

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置

零件狀態(tài)：有源

晶體管類型：2 個(gè) NPN 預(yù)偏壓式（雙）

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

電壓-集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器-基極(R1)：22 千歐

電阻器-發(fā)射極(R2)：22 千歐

不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V

不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA

電流-集電極截止（最大值）：500nA

頻率-躍遷：-

功率-最大值：250mW

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

NSVMUN5212DW1T1G均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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