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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：MUN5312DW1T2G

技術標準參數：TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

產品應用分類：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置

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技術參數詳解：

制造商產品型號：MUN5312DW1T2G

制造商：ON Semiconductor

描述：TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置

零件狀態：有源

晶體管類型：1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）

電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA

電壓-集射極擊穿（最大值）：50V

電阻器-基極(R1)：22 千歐

電阻器-發射極(R2)：22 千歐

不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：60 @ 5mA，10V

不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：250mV @ 300μA，10mA

電流-集電極截止（最大值）：500nA

頻率-躍遷：-

功率-最大值：385mW

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

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