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深圳市南皇電子有限公司長期提供HGT1S7N60C3DS（品牌: ON）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：HGT1S7N60C3DS

技術標準參數：IGBT 600V 14A 60W TO263AB

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：HGT1S7N60C3DS

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 14A 60W TO263AB

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：停產

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：14A

電流-集電極脈沖(Icm)：56A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，7A

功率-最大值：60W

開關能量：165μJ（開），600μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：23nC

25°C時Td（開/關）值：-

測試條件：480V，7A，50歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：37ns

工作溫度：-

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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