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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：FGY60T120SQDN

技術標準參數：IGBT 1200V 60A UFS

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：FGY60T120SQDN

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 60A UFS

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V

電流-集電極(Ic)（最大值）：120A

電流-集電極脈沖(Icm)：240A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.95V @ 15V，60A

功率-最大值：517W

開關能量：-

輸入類型：標準

柵極電荷：311nC

25°C時Td（開/關）值：52ns/296ns

測試條件：600V，60A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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