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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：FGH60T65SQD-F155

技術標準參數：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數詳解：

制造商產品型號：FGH60T65SQD-F155

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT TRENCH/FS 650V 120A TO247-3

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：120A

電流-集電極脈沖(Icm)：240A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，60A

功率-最大值：333W

開關能量：227μJ（開），100μJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：79nC

25°C時Td（開/關）值：20.8ns/102ns

測試條件：400V，15A，4.7 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：34.6ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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