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深圳市南皇電子有限公司長期提供FDMS86101E（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

FDMS86101E - 南皇電子長期提供競爭力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ON代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FDMS86101E

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FDMS86101E

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：PowerTrench?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：12.4A（Ta），60A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：8 毫歐 @ 13A，10V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：55nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：3000pF @ 50V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），104W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-PQFN（5x6）

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