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深圳市南皇電子有限公司長期提供PMT200EN,115（品牌: NXP）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品

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PMT200EN,115 - 南皇電子長期提供競爭力的價格、訂貨及技術(shù)支持，NXP代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：PMT200EN,115

原始制造廠商：NXP，恩智浦半導(dǎo)體

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：PMT200EN,115

制造商：NXP USA Inc.

描述：MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：1.8A（Ta）

驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：235 毫歐 @ 1.5A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：10nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：475pF @ 80V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：800mW（Ta），8.3W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：SOT-223

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