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深圳市南皇電子有限公司長期提供APTM120H29FG（品牌: Microsemi）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：APTM120H29FG

技術標準參數：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

產品應用分類：場效應管模塊

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技術參數詳解：

Microsemi美高森美完整型號：APTM120H29FG

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 4N-CH 1200V 34A SP6

系列：POWER MOS 7

FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：34A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：348 毫歐 @ 17A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：374nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：10300pF @ 25V

功率 - 最大值：780W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP6

供應商器件封裝：SP6

APTM120H29FG均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Microsemi

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