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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APTM10HM19FT3G（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

APTM10HM19FT3G - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Microsemi代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：APTM10HM19FT3G

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：場(chǎng)效應(yīng)管模塊

現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！

技術(shù)參數(shù)詳解：

Microsemi美高森美完整型號(hào)：APTM10HM19FT3G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3

系列：-

FET 類型：4 個(gè) N 通道（H 橋）

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：100V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：70A

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：21 毫歐 @ 35A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：200nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：5100pF @ 25V

功率 - 最大值：208W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP3

供應(yīng)商器件封裝：SP3

APTM10HM19FT3G均從Microsemi代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Microsemi

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