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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IS43DR86400E-3DBLI-TR（品牌: ISSI）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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ISSI產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量

IS43DR86400E-3DBLI-TR - 南皇電子長(zhǎng)期提供競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，ISSI代理穩(wěn)定貨源。

圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IS43DR86400E-3DBLI-TR

原始制造廠商：ISSI

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲(chǔ)器

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IS43DR86400E-3DBLI-TR

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器

包裝：卷帶（TR）

系列：-

零件狀態(tài)：有源

存儲(chǔ)器類型：易失

存儲(chǔ)器格式：DRAM

技術(shù)：SDRAM - DDR2

存儲(chǔ)容量：512Mb（64M x 8）

存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)

時(shí)鐘頻率：333MHz

寫周期時(shí)間-字，頁(yè)：15ns

訪問(wèn)時(shí)間：450ns

電壓-供電：1.7V ~ 1.9V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

產(chǎn)品封裝：60-TFBGA

IS43DR86400E-3DBLI-TR均從ISSI代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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