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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IRF6811STR1PBF

技術標準參數：MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IRF6811STR1PBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFET

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：25V

電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：19A（Ta），74A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 19A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1590pF @ 13V

功率 - 最大值：2.1W

安裝類型：表面貼裝

產品封裝：DirectFET 等容 SQ

供應商器件封裝：DIRECTFET SQ

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