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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供G2R1000MT33J（品牌: GeneSiC）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品

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GeneSiC產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無最低起訂量

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：G2R1000MT33J

原始制造廠商：GeneSiC

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：G2R1000MT33J

制造商：GeneSiC Semiconductor

描述：SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：G2R?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：3300V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：4A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：20V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.2 歐姆 @ 2A，20V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 2mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 20V

Vgs（最大值）：+20V，-5V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：238pF @ 1000V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：74W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：TO-263-7

G2R1000MT33J均從GeneSiC代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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